2025年 10 月 23 日，愛達荷州博伊西市 — 在當今時代，人工智能（AI）實現了前所未有的創(chuàng)新和發(fā)展，整個數據中心生態(tài)系統(tǒng)正在向更節(jié)能的基礎設施轉型，以支持可持續(xù)增長。隨著內存在 AI 系統(tǒng)中逐漸發(fā)揮越來越重要的作用，低功耗內存解決方案已成為這一轉型的核心。美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型壓縮附加內存模塊）已正式送樣，以積極拓展低功耗內存在
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美光 SOCAMM2 DRAM
在人工智能（AI）熱潮帶動下，全球存儲器市場迎來三年來最強勁的復蘇，第四季DRAM報價漲幅可望擴大至三成以上。 財信傳媒董事長謝金河指出，韓國SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術脫穎而出，從過去的DRAM老三躍升為全球第一，今年股價狂飆近500%，且海力士專注于高階制程，不僅拉高產品附加價值，也導致DDR4與DDR5大缺貨，同時帶旺整個存儲器產業(yè)。謝金河在臉書發(fā)文指出，韓國是今年全亞洲表現最亮眼的股市，尤其自總統(tǒng)李在明上任后，韓股從2284.71點一路漲到3617.86點，漲幅高達58.35%。 這波
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DRAM SK海力士
專家在座：半導體工程與西門子 EDA 產品管理高級總監(jiān) John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設計挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業(yè)務經理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
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3D-IC 芯片設計
DRAM缺貨潮加速顯現，在中國十一長假期間，存儲器市場詢單備貨的動能不增反減，短期內現貨價格持續(xù)飆升。近一周來，DDR4 DRAM漲幅已逾1成，DDR5 16Gb也調漲約8%。 盡管終端消費市場需求平淡，但各家存儲器模組廠觀察到市場價格漲勢兇猛，包括臺系業(yè)者的威剛、十銓、宇瞻等先后均「蓋牌」暫停報價，等待長假結束后更明確的漲價行情。 據悉，此波暫停報價儼然已形成了連鎖效應，威剛率先從上周實施暫停報價，以缺貨最為嚴重的DDR4、DDR5為主，而NAND Flash、固態(tài)硬盤（SSD）等產品仍維持繼
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內存模組 DRAM
總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業(yè)估值最高的新晉獨角獸。根據公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產、工融金投等15家機構同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
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長江存儲 半導體 3D NAND 晶棧 Xtacking
據悉，三星電子和海力士半導體（現SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護工業(yè)技術法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個月。法院在拘留期屆滿前依職權準予保釋。此外，據報道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋，法院受理。
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DRAM 三星 海力士
各大存儲器企業(yè)正專注于1c DRAM量產的新投資和轉換投資。主要內存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設量產線，據報道，SK海力士正在討論其近期轉型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設施。1c DRAM是各大內存公司計劃在今年下半年量產的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務器在內的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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存儲器 1c DRAM AI HBM 三星 SK海力士 美光
專家在座：半導體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產品管理高級總監(jiān) John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業(yè)務經理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。從左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
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3D-IC設計
存儲巨頭們正準備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據 SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協商根據市場條件調整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據 EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業(yè)級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達到 70%。行業(yè)消息來源還表
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DRAM NAND 三星 AI 海力士
全球存儲器市場在生成式AI與大型云端服務商（CSP）急單帶動下，正式進入新一輪長線上行。 隨著業(yè)界開始惜售，業(yè)者預期，10月DDR4與DDR5合約價及現貨價，皆將出現雙位數漲幅。產業(yè)界大老指出，這一波內存行情漲得又快又急，可望一路延續(xù)到2026年底。根據業(yè)界對10月漲幅最新預估，DDR5合約價將上漲10~15%，現貨價漲15~25%; DDR4合約價將上漲逾10%，現貨價漲幅則超過15%，隨著市場供貨趨緊，現貨價漲幅還有進一步拉升的可能。業(yè)者分析，此波漲幅的原因有二：一是AI應用與儲存需求強勁，推升NAN
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存儲器 DRAM
隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發(fā)式增長，全球對算力的需求正以指數級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內存的協同配合。傳統(tǒng)內存已難以滿足 AI 芯片對數據傳輸速度的要求，而高帶寬內存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關鍵難題，為 AI 應用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進一步優(yōu)化功耗表現，全球的存儲廠商也普遍將 3D
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3D DRAM
汽車行業(yè)正在經歷重大變革，因為它采用自動駕駛技術和超互聯生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應對日益復雜的現代汽車架構。一項有前途的發(fā)展是三維集成電路 （3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導體設計方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時克服車輛系統(tǒng)的關鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設計和實施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅動的電子設計自動化 （EDA） 工具發(fā)揮至關重要作用
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汽車應用 3D-IC 人工智能 EDA工具
據TrendForce集邦咨詢數據顯示，2025年第二季度，全球DRAM產業(yè)營收達到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價的上漲以及出貨量的顯著提升，同時HBM出貨規(guī)模的擴大也起到了推動作用。集邦咨詢分析稱，PC OEM、智能手機以及CSP廠商的采購需求逐步回升，推動DRAM原廠加速去庫存化，多數產品的合約價已止跌回升。在廠商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續(xù)穩(wěn)居前三。三星在第二季度的表現相對平穩(wěn)，其售價和位元出貨量均
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DRAM SK海力士
根據 ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK
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內存 NAND DRAM
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